[发明专利]Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯有效
| 申请号： | 200780035629.8 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101517759A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 横山泰典;酒井浩光;三木久幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层，并在该中间层上依次层叠具有基底层的n型半导体层、发光层和p型半导体层的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：对所述基板进行等离子处理的预处理工序；和继该预处理工序之后的、采用溅射法在所述基板上形成所述中间层的溅射工序。
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