[发明专利]面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置无效
| 申请号： | 200780035927.7 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101517706A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 柴田和生;川崎裕雄 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H05B3/14;H05B3/28;H05B3/74;H05B3/86 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘华联 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面状加热器1的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的碳线发热体CW、以及在此碳线发热体CW的上方的二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的接地电极3。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 具有 半导体 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种面状加热器，其包括：在二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封为平面状的碳线发热体、以及在所述碳线发热体的上方在所述二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封为平面状的接地电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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