[发明专利]钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件有效
| 申请号： | 200780035937.0 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101516802B | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 胜勇人;三原贤二良;新见秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是居里温度高、室温下的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物，还提供一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，在将钛的含量设为100摩尔份时，作为碱金属元素、铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11，12)。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸钡 半导体 组合 使用 ptc 元件 | ||
【主权项】：
一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，其中，钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，在将所述钛的含量设为100摩尔份时，所述碱金属元素、所述铋及所述稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系即(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上且1.06以下。
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