[发明专利]衬底形的粒子传感器有效
申请号: | 200780036092.7 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101517701A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 丹尼斯·J·伯恩西奥里尼;克雷格·C·拉姆齐;德尔克·H·加德纳;费利克斯·J·舒达 | 申请(专利权)人: | 赛博光学半导体公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种衬底形的粒子传感器(100),包括衬底形的基部部分(102)和设置在衬底形的基部部分(102)上的电子仪器外壳(104)。电源(204)位于电子仪器外壳(104)内部。控制器(208)操作地连接到电源(104)。粒子传感器(214)操作地连接到所述控制器(208)并且提供至少一个存在于所述粒子传感器(214)附近的粒子的指示给所述控制器(208)。 | ||
搜索关键词: | 衬底 粒子 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种衬底形粒子传感器,包括:衬底形的基部部分;电子仪器外壳,所述电子仪器外壳设置在所述衬底形的基部部分上;电源,所述电源设置在所述电子仪器外壳内;控制器,所述控制器操作地连接到所述电池;和粒子传感器,所述粒子传感器操作地连接到所述控制器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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