[发明专利]硅氧化膜的形成方法，等离子体处理装置以及存储介质无效
| 申请号： | 200780036502.8 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101523577A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 小林岳志;盐泽俊彦;壁义郎;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/76;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子体氧化处理方法，维持在低压力、低氧浓度条件下的等离子体氧化处理的优点，并且使膜厚不依赖于图案疏密，而以均匀的膜厚形成硅氧化膜。在等离子体处理装置的处理室内，对具有凸凹图案的被处理体表面的硅作用处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜。以上述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下并且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件形成上述等离子体。在上述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的板而进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 等离子体 处理 装置 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
1、一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：在等离子体处理装置的处理室内配置在表面具有凸凹图案的硅制的被处理体的工序；和形成处理气体的等离子体，对所述被处理体表面的硅作用该处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜的工序，在所述形成硅氧化膜的工序中，在所述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下，且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件下，形成所述等离子体，并且在所述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的部件，经由该贯通孔向所述被处理体引导所述等离子体，对所述硅进行氧化而形成所述硅氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
