[发明专利]生产结构化导电表面的方法无效
| 申请号： | 200780036665.6 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101524007A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | R·洛赫特曼;J·卡祖恩;N·施奈德;J·普菲斯特;N·瓦格纳;D·亨切尔 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H05K3/24 | 分类号： | H05K3/24;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在不导电载体(1)上生产结构化和/或全区导电表面(3，11)的方法，其中在第一步将第一个平面的表面(3)施加于载体(1)上，在第二步将绝缘层(9)施加于第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)与第一个平面的结构化和/或全区导电表面(3)交叉的那些位置并且在第一个平面的结构化和/或全区导电表面(3)与第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)之间不发生电接触，在第三步根据第一步施加第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)并且必要的话重复第二步和第三步。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 结构 导电 表面 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在不导电支撑物(1)上生产结构化和/或全区导电表面(3，11)的方法，其包括下列步骤：a)将第一个平面的结构化和/或全区导电表面(3)施加于不导电支撑物(1)上，b)在第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)与第一个平面的结构化和/或全区导电表面(3)交叉的位置施加绝缘层(9)并且用于使第一个平面的结构化和/或全区导电表面(3)与第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)之间不发生电接触，c)根据步骤a)施加第二个平面的结构化和/或全区导电表面(11)，d)任选地重复步骤b)和c)。
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