[发明专利]薄膜半导体元件及元件复合结构有效
| 申请号： | 200780036707.6 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101542752A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | S·赫尔曼;B·哈恩 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种具有承载层和设置在该承载层上的堆叠层的薄膜半导体元件，该堆叠层包含用来发出辐射的半导体材料，其中在该承载层上施加用以冷却该半导体元件的散热层。本发明还描述了一种元件复合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 元件 复合 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有承载层(2)和设置在所述承载层(2)上的堆叠层(8)的薄膜半导体元件(1)，所述堆叠层包含半导体材料并用以发出辐射，其中，在所述承载层(2)上施加用以冷却所述薄膜半导体元件(1)的散热层(3)。
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