[发明专利]非易失性纳米管二极管和非易失性纳米管区块与使用其的系统及其制造方法有效
| 申请号： | 200780037370.0 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101558449A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | C·L·伯廷;T·鲁克斯;X·M·H·黄;R·斯瓦拉贾;E·G·根丘;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德 | 申请（专利权）人： | 南泰若股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本发明的一方面，非易失性纳米管二极管器件包括：第一端子及第二端子；半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至该第一导电端子的电刺激，在该阴极与阳极之间形成导电路径；以及纳米管开关元件，包括与该半导体元件电连通的纳米管结构制品，该纳米管结构制品设在该半导体元件与该第二端子之间，且能在该半导体元件与该第二端子之间形成导电路径，其中施加在该第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 纳米 二极管 区块 使用 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性纳米管二极管器件，包括：第一端子及第二端子；半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至所述第一导电端子的电刺激，在所述阴极与阳极之间形成导电路径；以及纳米管开关元件，包括与所述半导体元件电连通的纳米管结构制品，所述纳米管结构制品设置在所述半导体元件与所述第二端子之间，且能在所述半导体元件与所述第二端子之间形成导电路径；其中施加在所述第一及第二端子上的电刺激造成多个逻辑状态。
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