[发明专利]谐振器及其制造方法无效
| 申请号： | 200780037636.1 | 申请日： | 2007-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101523719A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 维耶·源·宏;德克·格拉弗斯坦;拉杜·苏尔代亚努 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H9/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造谐振器尤其是纳米谐振器的方法，该方法包括从FINFET结构开始，该FINFET结构具有中心杆、连接到中心杆的第一电极和第二电极、位于中心杆的每一侧并且通过栅极电介质层与中心杆相分隔的第三电极和第四电极。该结构形成在掩埋氧化物层上。随后将栅极电介质层和掩埋氧化物层有选择地蚀刻掉以提供具有谐振器元件30、一对谐振器电极(32，34)、控制电极(36)和感测电极(38)的纳米谐振器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造谐振器(40)的方法，包括步骤：形成具有衬底(2)、衬底(2)上的掩埋氧化物层(4)、掩埋氧化物层上的半导体层(6)的FINFET结构，使得所述半导体层形成图案来限定聚拢在中心区(8)中的四个半导体区，四个半导体区包括由中心杆(14)连接的相对的第一区(10)和第二区(12)以及在中心杆(14)的两侧上的相对的第三区(16)和第四区(18)，氧化物绝缘层(20)位于第三区(16)和第四区(18)中每一个与中心杆(14)之间；以及选择性地蚀刻掉中心区(8)中的掩埋氧化物层(4)和氧化物绝缘层(20)来在中心杆(14)下形成空腔(22)，并且蚀刻掉第三区(16)和第四区(18)与中心杆之间的氧化物绝缘层(20)，使得中心杆(14)形成谐振器元件(30)，第一区和第二区形成谐振器固定器(32，34)，并且第三区和第四区形成控制电极(36)和感测电极(38)。
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