[发明专利]用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺及相关中间IC结构有效
| 申请号： | 200780037993.8 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101529557A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 戴维·H·韦尔斯;米尔扎菲尔·K·阿巴切夫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺。在一个实施例中，在衬底上方形成n(其中n≥2)层堆叠心轴(150b)、(140a)，所述n层中的每一者包含彼此大致平行的多个心轴(150b)、(140a)。层n处的心轴(150b)在层n-1处的心轴(140a)上方且平行于心轴(140a)，且层n处的邻接心轴之间的距离大于层n-1处的邻接心轴之间的距离。同时在心轴(150b)、(140a)的侧壁上形成间隔物(185)。蚀刻掉心轴(150b)、(140a)的暴露部分且将由间隔物(185)界定的线图案转移到衬底(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间距 倍增 大于 因数 单个 间隔 工艺 相关 中间 ic 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于制作集成电路的方法，其包含：在衬底上方提供第一心轴，所述第一心轴具有第一宽度；大致在所述第一心轴上方提供第二心轴，所述第二心轴具有比所述第一宽度小的第二宽度；同时在所述第一及第二心轴的侧壁上形成间隔物；选择性地移除所述心轴的相对于所述间隔物的至少若干部分以形成由所述间隔物界定的间隔物图案；及通过由所述间隔物图案界定的掩模处理所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
