[发明专利]用于大表面积接触应用的高度可及纳米管电极有效
| 申请号： | 200780038041.8 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101529542A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | A·G·兰兹勒;J·R·雷诺兹;R·K·达斯 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金公司 |
| 主分类号： | H01G9/058 | 分类号： | H01G9/058;H01G9/20;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李 峥 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 高度多孔导电膜，包括多个碳纳米管、纳米线或两者的组合。所述高度多孔导电膜在25℃下表现出小于0.1Ω·cm的电阻率和0.05和0.70g/cm3之间的密度。所述膜可以表现出0.50和0.85g/cm3之间的密度，和在25℃下小于6×10-3Ω·cm的电阻率。还包括通过使用碳纳米管或纳米线和牺牲性纳米颗粒或微颗粒形成复合膜来形成这些高度多孔导电膜的方法。然后，从所述复合膜将所述纳米颗粒或微颗粒的至少一部分去除以形成高度多孔导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面积 接触 应用 高度 纳米 电极 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成多孔碳纳米管或纳米线膜的方法，其特征在于：形成复合膜，所述复合膜包括碳纳米管或纳米线以及牺牲性纳米颗粒或微颗粒，以及从所述膜去除所述纳米颗粒或微颗粒的至少一部分，以形成高度多孔的纳米管或纳米线膜。
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