[发明专利]具有改善尺寸可缩放性的金属镶嵌式金属-绝缘体-金属器件有效
| 申请号： | 200780038107.3 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101529608A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | S·K·潘格尔;S·阿维奇诺;S·哈达;M·范巴斯柯克;M·拉托尔;J·谢;K·宋;C·马里安;B·酋;F·王;J·A·希尔兹 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司;斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造内存器件的方法，包含下列步骤：设置介电层(110)；于该介电层(110)中设置开口(112)；于该开口(112)中设置第一导电主体(116A)；于该开口中设置切换主体(118A)，该第一导电主体(116A)和切换主体(118A)填满该开口(112)；以及在该切换主体(118A)之上设置第二导电主体(120A)。于一替代实施例中，第二介电层(150)设置于该首先提及的介电层(110)之上，以及该切换主体(156A)设置于该第二介电层(150)中的开口(152)中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 尺寸 缩放 金属 镶嵌 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造内存器件的方法，包括：设置介电层(110)；在该介电层(110)中设置开口(112)；在该开口(112)中设置第一导电主体(116A)；在该开口(112)中设置切换主体(118A)，该第一导电主体(116A)和切换主体(118A)填满该开口(112)；以及在该切换主体(118A)之上设置第二导电主体(120A)。
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