[发明专利]石英保护环定中心结构有效
| 申请号： | 200780038501.7 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101529562A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 迪安·J·拉松;丹尼尔·布朗;基思·科门丹特;维克托·王 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电极总成和在用于半导体基片处理的等离子反应室中将外环围绕电极总成定中心的方法。该方法包括围绕该电极总成的背衬构件的外部表面设置外环，以及将至少一个定心元件插在该外环和该背衬构件之间。该定心元件可以是容纳在该背衬构件的外部表面的腔体中的多个弹簧加载定心元件，该定心元件具有适于接触该外环的第一端和适于容纳弹簧的第二端。该外环围绕该背衬构件的外部表面，从而该多个弹簧加载定心元件位于该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 保护环 中心 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成包括：上电极；背衬构件，该背衬构件可贴附于该上电极的上表面；外环，围绕该背衬构件的外部表面；和至少一个定心元件，设在该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
