[发明专利]非易失性存储元件阵列及其制造方法

摘要

本发明提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板(26)上形成有下部电极(22)，下部电极(22)的上部被第一层间绝缘膜(27)覆盖。在该下部电极(22)上构成有贯通第一层间绝缘膜(27)而形成的第一接触孔(28)，构成可变电阻膜(24)的低电阻层(29)被埋入第一接触孔(28)中。进一步，在第一层间绝缘膜(27)和低电阻层(29)之上形成有高电阻层(30)，可变电阻膜(24)构成为包括各一层该高电阻层(30)和低电阻层(29)的多层的电阻层。进一步，构成存储部(25)的低电阻层(29)至少与邻接的存储部(25)分离。

主权项

1.一种非易失性存储元件阵列，其具有多个非易失性存储元件，该非易失性存储元件阵列的特征在于：各个非易失性存储元件包括：形成在基板上的下部电极；形成在所述下部电极的上方的上部电极；和被所述下部电极和所述上部电极夹着的可变电阻膜，所述可变电阻膜包括高电阻层和低电阻层，并具有电阻值通过在所述下部电极与所述上部电极之间施加电脉冲而增加或减少的特性，仅在所述上部电极的主面的一部分与所述上部电极连接，或仅在所述下部电极的主面的一部分与所述下部电极连接，所述低电阻层在邻接的非易失性存储元件之间被相互分离。