[发明专利]包含存储器件的半导体器件及其驱动方法

摘要

本发明提供一种对于写入和读出可利用相同的电压值对存储元件进行操作的存储器件的结构。本发明涉及一种存储器件，其包括存储元件和将施加到存储元件的用于写入(或读出)的电压的极性改变成与用于读出(或写入)的电压的极性不同极性的电路。存储元件包括第一导电层、形成于第一导电层之上的硅膜、以及形成于硅膜之上的第二导电层。存储元件的第一导电层与第二导电层是使用不同的材料形成的。

主权项

1.一种半导体器件，包括存储器件，所述存储器件包含：存储元件，具有：第一导电层；形成于所述第一导电层之上的含硅膜；以及形成于所述含硅膜之上的第二导电层，所述第二导电层包含与所述第一导电层的材料不同的材料；以及将施加到所述存储元件上的用于向所述存储元件写入数据的电压的极性改变成与用于读出的电压的极性不同的极性的电路。