[发明专利]适于形成半导体结型二极管器件的半导体晶片及其形成方法有效
| 申请号： | 200780039598.3 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101536177A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 高隆庆;邝普如 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作半导体晶片的方法，所述半导体晶片用于制作具有目标正向电压降和目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件。所述方法首先用第一传导类型的第一掺杂剂通过背表面掺杂第一传导类型的半导体衬底，所述第一传导类型的第一掺杂剂的量足以形成具有目标正向电压降的半导体结型二极管器件。接下来，用第一传导类型的第二掺杂剂通过前表面来掺杂衬底，所述第一传导类型的第二掺杂剂的量足以形成使得其具有目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 形成 半导体 二极管 器件 晶片 及其 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制作半导体晶片的方法，所述半导体晶片用于具有目标正向电压降和目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件，所述方法包括：提供第一传导类型的半导体衬底，所述衬底具有前表面和背表面；用所述第一传导类型的第一掺杂剂通过所述背表面来掺杂所述衬底，所述第一掺杂剂的量足以形成具有目标正向电压降的半导体结型二极管器件；以及用所述第一传导类型的第二掺杂剂通过所述前表面来掺杂所述衬底，所述第二掺杂剂的量足以形成具有目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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