[发明专利]新型含有V族金属的前体及其对含有金属的膜的沉积的应用

摘要

通式(Ia)或通式(Ib)的化合物。这些新的前体适用于纯金属、金属氧化物、氧氮化合物、氮化物和/或硅化物膜沉积以制备电极和/或高k值层，和/或铜扩散阻挡层层，等等。

主权项

1.至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物在向基材上沉积含有V族金属的膜中的用途，用作金属前体，包括如下步骤：-将基材放入反应器，-优选将基材加热至高于150℃，-将通式(Ia)或(Ib)的化合物或其混合物以蒸气相形式供入反应器，-任选地将通式(Ia)或(Ib)的第二化合物或所述化合物的第二混合物以蒸气相供料入反应器，-在所述基材上沉积含有至少一种上述通式(Ia)或(Ib)的化合物的膜；通式(Ia)和(Ib)中，M为选自钽(Ta)、铌(Nb)和钒(V)的V族金属，R₁，R₂，R₃，R₄，R₅，R₆和R₇可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷氧基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基酰胺、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基甲硅烷酰胺；R’₁，R’₂，R’₃和R’₄可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷氧基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基酰胺或者具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基甲硅烷酰胺；或者，R’₁，R’₂可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷氧基、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基酰胺或者具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基甲硅烷酰胺；并且R’₃和R’₄一起代表氧基(＝O)或者具有1-4个碳原子的烷基亚氨基(＝N-R)。