[发明专利]一种具有塑料衬底的电子器件有效
申请号: | 200780039933.X | 申请日: | 2007-10-24 |
公开(公告)号: | CN101529316A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | E·I·哈斯卡尔 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/167 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 靳春鹰;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种制造薄膜电子器件的方法,包括使用湿法铸造工艺施加塑料涂层到刚性载体衬底(2)上,该塑料涂层形成塑料衬底(22)。该塑料材料的热膨胀系数在垂直于衬底平面的第一方向上比在平行于衬底平面的第二方向上更大。在塑料衬底上形成薄膜电子元件,且通过加热工艺将刚性载体衬底从塑料衬底释放,该加热工艺优选在垂直于衬底平面的方向上扩展塑料衬底。在本发明的塑料衬底上热膨胀的各向异性使在热剥离(lift-off)工艺期间衬底能够在垂直方向上扩展。已经发现,这有助于该剥离工艺并且还保护了安装在塑料衬底的上表面上的部件。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 塑料 衬底 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种制造薄膜电子器件的方法,所述方法包括:使用湿法铸造工艺将塑料涂层(22)施加到刚性载体衬底(12)上,所述塑料涂层(22)形成塑料衬底,并且包括透明塑料材料,所述透明塑料材料具有的热膨胀系数在垂直于所述衬底平面的第一方向上比在平行于所述衬底平面的第二方向上至少大三倍;在所述塑料衬底(22)上形成薄膜电子元件(30,32,34,36,40);和通过加热工艺从所述塑料衬底释放所述刚性载体衬底(12),所述加热工艺优选在垂直于所述衬底平面的方向上扩展所述塑料衬底。
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