[发明专利]具有电磁干扰滤波器的垂直瞬态电压抑制器（TVS）的电路结构及制造方法有效
| 申请号： | 200780040577.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101536189A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 英属百慕*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一垂直TVS电路包括一半导体衬底以支撑垂直TVS器件，在半导体衬底上有一延伸到衬底底部的重掺杂层。深沟槽提供了多通道垂直TVS间的隔离。沟槽栅极也用于增加整合有EMI滤波器的垂直TVS的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电磁 干扰 滤波器 垂直 瞬态 电压 抑制器 tvs 电路 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直瞬态电压抑制器(VTVS)，其特征在于，包括：一衬底，其包含延伸至所述衬底的底部表面的一重掺杂层，其中所述重掺杂层具有第一导电类型，其掺杂浓度大于1E18/cm3。
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