[发明专利]提供纳米级、高度选择性和热弹性硅、锗或硅-锗蚀刻终止层的系统和方法无效
| 申请号： | 200780040638.6 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101536156A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 达尔文·G·伊尼克斯 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种方法和所得的包含硅-锗层和所述硅-锗层内的掺杂剂层的蚀刻终止层。所述硅-锗层包含小于约70％的锗且含有选自由硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素。所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种以上和小于50纳米的FWHM厚度值。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 纳米 高度 选择性 弹性 蚀刻 终止 系统 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种蚀刻终止层，其包含：硅层，其含有选自由锗、硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素；掺杂剂层，其在所述硅层内，所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种以上且具有小于50纳米的半高全宽(FWHM)厚度值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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