[发明专利]通过从等离子体沉积形成膜的方法和设备有效
| 申请号： | 200780040785.3 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101578683A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | P·罗卡艾卡巴罗卡斯;P·布尔金;D·戴纳卡;P·里波尔;P·狄斯坎普;T·科尔恩德米尔伦德尔 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司;巴黎综合理工大学 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备。该设备包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置。每个等离子体发生器单元包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以生成等离子体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以使气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于位于热电子约束包络体之中或之上。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 等离子体 沉积 形成 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备，其包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置，每个等离子体发生器单元包含具有从其发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以通过分布式电子回旋共振(DECR)生成等离子体，以及至少一个具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元，设置该出口以使气体朝向(如同此处限定的那样)从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于最靠近膜沉积区域的磁体的末端之上，并且因此位于此处限定的热电子约束包络体之中或之上。
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