[发明专利]利用气体团簇离子束的固体表面平坦化方法及固体表面平坦化设备有效
| 申请号： | 200780040894.5 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101548366A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木晃子;佐藤明伸;伊曼纽尔·布雷尔;松尾二郎;瀬木利夫 | 申请（专利权）人： | 日本航空电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过用气体团簇离子束照射，存在于固体表面上的约几十纳米(10nm)到几百微米(100μm)的圆的表面粗糙被降低。提供了一种固体表面平坦化方法，固体表面的法线与气体团簇离子束之间的角度被称为照射角度，并且固体与碰撞该固体的团簇之间的相互作用距离变为显著增加时的照射角度被称为临界角度。固体表面平坦化方法包括以不小于临界角度的照射角度的气体团簇离子束照射固体表面的照射步骤。该临界角度为70°。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 气体 离子束 固体 表面 平坦 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种利用气体团簇离子束的固体表面平坦化方法，其中所述固体表面的法线与所述气体团簇离子束之间形成的角度被称为照射角度，以及所述固体与碰撞所述固体的所述团簇之间的相互作用距离明显增加时的照射角度被称为临界角度；所述方法包括：以不小于所述临界角度的照射角度将所述气体团簇离子束导向到所述固体表面的照射步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
