[发明专利]包括整流结分流器的功率开关半导体器件有效
| 申请号： | 200780040976.X | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101536194A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | A·赫夫纳;柳世衡;A·阿加瓦尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包含具有第一导电类型的漂移层以及邻近漂移层的体区。该体区具有与第一导电类型相反的第二导电类型并与漂移层形成p-n结。该器件还包括在体区中并具有第一导电类型的接触器区，以及从接触器区延伸通过体区到达漂移层的分流器沟道区。该分流器沟道区具有第一导电类型。该器件还包括与体区和接触器区电接触的第一端子，以及与漂移层电接触的第二端子。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 整流 分流器 功率 开关 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包含：具有第一导电类型的漂移层；邻近该漂移层的第一体区，该第一体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并与该漂移层形成p-n结；在该第一体区上的具有所述第二导电类型的第二体区；邻近该第一和第二体区的接触器区，该接触器区具有所述第一导电类型；从该接触器区到漂移层在第一和第二体区之间延伸的分流器沟道区，该分流器沟道区具有所述第一导电类型；与该第一和第二体区以及该接触器区电接触的第一端子；以及与该漂移层电接触的第二端子。
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