[发明专利]各向异性的半导体膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200780041185.9 | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101536205A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | P·拉扎列夫 | 申请（专利权）人： | 卡本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40;C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏 萌;钟守期 |
| 地址： | 塞浦路斯*** | 国省代码： | 塞浦路斯;CY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明总体上涉及在大规模集成、光学、通信和计算机领域有潜在用途的宏电子和微电子领域，尤其是涉及用于该领域以及其他相关领域的材料。本发明提供一种位于基质上的各向异性半导体膜，包括至少一个包含主要为平面的石墨烯状碳基结构的材料的固体层，并具有各向异性的传导性，其中所述层的厚度为约5nm至1000nm。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种位于基质上的各向异性半导体膜，包括至少一个包含主要为平面的石墨烯状碳基结构的材料的固体层，并且具有各向异性的传导性，其中所述层的厚度为5nm至1000nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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