[发明专利]具有自对准特征的沟槽栅极FET有效
| 申请号： | 200780041519.2 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101536165A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 朴赞毫 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;张 英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管是如下形成的。在第一导电类型的半导体区中形成沟槽。形成在每个沟槽中凹入的栅电极。使用第一掩模，通过注入掺杂物在半导体区中形成第二导电类型的体区。使用第一掩模，通过注入掺杂物在体区中形成第一导电类型的源区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 特征 沟槽 栅极 fet | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成沟槽栅极场效应晶体管的方法，包括：在第一导电类型的半导体区中形成沟槽；形成在每个沟槽中凹入的栅电极；使用第一掩模，通过注入掺杂物在所述半导体区中形成第二导电类型的体区；以及使用所述第一掩模，通过注入掺杂物在所述体区中形成第一导电类型的源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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