[发明专利]无电解镀方法

摘要

本发明的无电解镀方法在于金属基体试样(22)的表面上进行无电解电镀时，在无电解镀液(19)中分散有金属粉末的状态下，采用超临界流体或亚临界流体，进行无电解镀。如果这样，利用诱导共析现象，在短时间内获得均质而较厚的电镀层。在本发明的无电解镀方法中，金属粉末可采用平均粒径在1nm以上，在100μm以下的粉末，还可适用于作为半导体元件内的细微金属布线形成方法的金属镶嵌(damascene)法或双道金属镶嵌(dual damascene)法。通过上述方案可提供，采用亚临界流体或超临界流体，并且利用诱导共析现象，可短时间地通过无电解镀而获得均匀的膜的无电解镀方法。

主权项

1、一种无电解镀方法，其为在金属基体的表面上进行无电解镀的方法，其特征在于，在无电解镀液中分散金属粉末的状态下，采用亚临界流体或超临界流体，利用诱导共析现象，进行无电解镀。