[发明专利]含有Si-O的氢化碳膜、具有该氢化碳膜的光学装置以及制备含有Si-O的氢化碳膜和光学装置的方法无效
申请号: | 200780041911.7 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101535177A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 赤羽良启;今井贵浩;松浦尚;片山哲也;后利彦 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B32B9/00;G02B3/00;G02B5/18;G02B5/30;G02B5/32;G03H1/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁业平;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种作为光学膜的含有Si-O的氢化碳膜,其对于波长为520nm的光的折射率为至少1.48到至多1.85,并且对于波长为248nm的光的消光系数小于0.15,其中,通过使用能量束照射,折射率和消光系数都降低。通过使用这种含有Si-O的氢化碳膜,可以提供包括该含有Si-O的氢化碳膜的各种光学元件和光学装置。 | ||
搜索关键词: | 含有 si 氢化 具有 光学 装置 以及 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种含有Si-O的氢化碳膜,其对于波长为520nm的光的折射率为至少1.48到至多1.85,并且对于波长为248nm的光的消光系数小于0.15,其中通过用能量束照射,所述折射率和所述消光系数都降低。
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