[发明专利]非易失性存储器软编程中的受控升压

摘要

一种软编程预充电电压提供用于非易失性存储器装置的软编程操作期间的升压控制。可将预充电电压施加到存储器单元的块的字线，以实现对待被抑制软编程的NAND串的沟道区域的预充电。通过所述预充电电压及软编程电压来控管所述经抑制的NAND串的所述沟道区域的升压的电平。通过控制所述预充电电压，可实现更可靠且一致的沟道升压。在一个实施例中，在所述软编程电压的施加之间增加所述预充电电压，以降低或消除沟道的升压电位的升高。在一个实施例中，在作为制造工艺的一部分而执行的测试期间确定所述软编程预充电电压电平。

主权项

1.一种操作非易失性存储器的方法，其包含：通过在将读取通过电压施加到未选择的字线的同时使用一个或一个以上读取参考电压来读取耦合到所选择字线的一个或一个以上存储元件，从耦合到字线集合的非易失性存储元件读取数据；以及将一个或一个以上编程电压脉冲施加到所述字线集合，以对耦合到所述字线集合的第一非易失性存储元件群组进行软编程，其中施加所述一个或一个以上编程电压脉冲中的每一者包括将第一电压施加到所述字线集合接着施加第二较大电压，所述第一电压不同于所述通过电压。