[发明专利]进行实际流量检验的方法有效
| 申请号： | 200780042782.3 | 申请日： | 2007-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101536159A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 伊克巴尔·A·谢里夫;吉姆·蒂茨;韦尔农·翁;里奇·迈内克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法。该方法包括在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，其设在该反应室的上游。该方法还包括对该气体加压以在该小孔内建立扼流状态。该方法进一步包括用一组压力传感器测量该气体的一组上游压力值。该方法还又包括应用一组校准因子的一个校准因子来确定该实际流率。该校准因子是这组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，其与MFC的指示流率相关。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 实际 流量 检验 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法，包括：在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，所述小孔位于所述反应室的上游；对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态；通过一组压力传感器测量所述气体的一组上游压力值；和应用一组校准因子的一个校准因子以确定所述实际流率，所述校准因子是该组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，所述极佳压力值表示与指示流率相关联的压力值，所述指示流率是所述MFC标示的流率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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