[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置有效
| 申请号： | 200780042990.3 | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101542749A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 村川惠美 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C23C16/42;C23C16/511;H01L21/316;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6.67Pa～6.67×102Pa的范围、温度是200℃～600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内，通过微波的表面波生成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制造方法，其中，使用等离子体使硅层的表层氧化、氮化或氮氧化，在所述硅层的表层形成钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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