[发明专利]非易失性存储器件无效
| 申请号： | 200780043216.4 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101542728A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 中川隆史 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器件。提供了一种元件结构，通过该元件结构，在可变电阻型非易失性存储器件中减小了操作电压变化和在关断状态下的泄漏电流。该非易失性存储器件的特征在于具有一层压结构，在该层压结构中层压了下电极、上电极、在下电极和上电极之间的一个或多个非晶绝缘层以及一个或多个可变电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：下电极；上电极；以及层压结构，在该层压结构中，在所述下电极和所述上电极之间层压至少一个非晶绝缘层和至少一个电阻变化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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