[发明专利]背接触型太阳能电池

摘要

本发明涉及一种节省成本的生产背接触型硅太阳能电池的方法和由该方法制得的电池，其中该方法包括：应用硅衬底、晶片或薄膜，该硅衬底、晶片或薄膜在背面上在交叉指型图案中以交替的P型和N型导电性进行掺杂，并且可选地在晶片前面掺杂有P型或N型层；在衬底的两面上沉积一个或多个表面钝化层；在衬底背面上的表面钝化层中产生开口；沉积金属层，该金属层覆盖整个背面并且填充表面钝化层中的开口；以及在沉积的金属层中产生开口，从而获得与在衬底背面的掺杂区域的电绝缘接触。

主权项

1.一种生产背接触型太阳能电池的方法，其中所述方法包括应用硅衬底、晶片或薄膜，该硅衬底、晶片或薄膜在背面上在交叉指型图案中以交替的P型和N型导电性进行掺杂，并且可选地在所述晶片的前面上掺杂有P型或N型层，其特征在于，所述方法进一步包括：-在所述衬底的两面上沉积一个或多个表面钝化层，-在所述衬底的背面上的表面钝化层中产生开口，-沉积金属层，所述金属层覆盖整个背面并且填充所述表面钝化层中的开口，以及-在沉积的金属层中产生开口，从而获得与在衬底背面上的掺杂区域的电绝缘接触。