[发明专利]能容忍工艺变化的存储器设计无效
申请号: | 200780043837.2 | 申请日: | 2007-12-03 |
公开(公告)号: | CN101542489A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 金圣克;杨赛森;儒辛宇 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示用于设计能容忍工艺变化的存储器的方法及系统。将存储器电路划分为若干功能块。针对所述功能块中的每一者计算统计分布。随后,将每一块的所述分布进行组合以检验电路的可信性。如果所述电路满足预定的合格率,那么所述可信性通过检验。 | ||
搜索关键词: | 容忍 工艺 变化 存储器 设计 | ||
【主权项】:
1、一种用于设计存储器的方法,其包含:将电路划分为若干功能块;确定所述功能块中的每一者的统计分布,其中所述统计分布是基于若干工艺变化参数;及将每一块的所述统计分布进行组合以检验所述电路的可信性,其中如果所述电路满足预定的合格率,那么所述可信性通过检验。
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