[发明专利]碳膜层压体及其制备方法无效
| 申请号： | 200780044110.6 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101541399A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 市川明昌;矢吹美由纪 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;B01D63/06;B01D69/12;B01D71/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳膜层压体，包括：多孔基底、作为碳膜底层设置在该多孔基底表面上的第一多孔碳膜和具有比该碳膜底层更小膜厚度和更小平均孔径的作为碳膜分离层设置在该碳膜底层表面上的第二多孔碳膜。优选通过在400到1000℃、非氧化氛中碳化设置在该多孔基底表面上的碳膜底层前体和设置在该碳膜底层前体表面上的碳膜分离层前体以形成该碳膜底层和该碳膜分离层。当该碳膜层压体被用作一种混合物的分离膜时，它是一种在分离性能和通量两个方面都很出色的分离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 层压 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳膜层压体，包括：多孔基底，作为碳膜底层设置在所述多孔基底表面上的第一多孔碳膜，和具有比所述碳膜底层更小膜厚度和更小平均孔径的、作为碳膜分离层设置在所述碳膜底层表面上的第二多孔碳膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780044110.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
