[发明专利]硼扩散源的使用方法及半导体的制造方法有效
| 申请号： | 200780044125.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101542687A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 西川正人;横田博 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以延长到再氧化处理的间隔时间的硼扩散源的使用方法及使用该硼扩散源的半导体的制造方法。在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下使用由含有Al2O3成分、SiO2成分以及BN成分的复合烧结体构成的硼扩散源的方法。进一步，半导体的制造方法，其特征在于，将由下述复合烧结体构成的硼扩散源和半导体晶片置于扩散炉内，在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下加热，其中所述复合烧结体含有Al2O3成分、SiO2成分以及BN成分，Al2O3成分和SiO2成分的合计含有率为30～70质量％，BN成分的含有率为30～70质量％，并且Al2O3/SiO2的摩尔比为1.0～2.4。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 使用方法 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硼扩散源的使用方法，其特征在于，在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下使用由复合烧结体构成的硼扩散源，其中所述复合烧结体含有氧化铝(Al2O3)成分、氧化硅(SiO2)成分以及氮化硼(BN)成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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