[发明专利]低能量、高剂量砷、磷与硼注入晶片的安全处理无效
| 申请号： | 200780044541.2 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101548190A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 马耶德·A·福阿德;麦诺基·韦列卡;卡提克·桑瑟南姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种避免在注入工艺之后形成有毒气体的方法。当将掺杂剂布注入衬底上的膜层中，某些掺杂剂暴露于湿气中时会发生反应而形成有毒气体及/或可燃气体。借着使掺杂薄膜于原位暴露至含氧化合物中，可使注入薄膜堆栈层的浅处的掺杂剂反应成掺杂剂氧化物，从而降低形成有毒气体及/或可燃气的可能性。或者，可原位地在掺杂薄膜上形成覆盖层，以降低产生有毒气体及/或可燃气体的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 剂量 注入 晶片 安全 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种衬底处理方法，包含：在一处理室中将一掺杂剂注入至一膜层内；以及在该已注入膜层暴露于大气中的氧气下之前，先将该已注入膜层暴露于一含氧电浆中，以在该已注入膜层上形成氧化层而将该掺杂剂留在该膜层内。
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