[发明专利]由气相沉积进行有机分子选区生长的普适方法无效
| 申请号： | 200780045394.0 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101617064A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 哈勒德·福克斯;迟力峰;王文冲;钟定永 | 申请（专利权）人： | 北莱茵法威廉明斯特大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/12;C30B23/04;C30B29/54 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 李 宓 |
| 地址： | 德国明*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机分子在基底上选区生长方法。其包括：在基底上形成有机分子的成核位置的图案，由气相沉积使有机分子在成核位置上生长。还提供了基于此方法制作的基于有机材料的器件。此方法提供了涂层技术或半导体制造领域中已知方法的另一种途径。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 进行 有机 分子 选区 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基底(11)上选区生长有机分子(15)的方法，其包括以下步骤：在基底(11)上形成有机分子(15)的成核位置的图案(14)；由气相沉积使有机分子(15)在所述成核位置(14)上沉积。
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