[发明专利]混合非易失性固态存储器系统无效
| 申请号： | 200780045873.2 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101558392A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 潘塔斯·苏塔迪嘉 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/12 | 分类号： | G06F12/12;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋 鹤;南 霆 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 一种固态存储器系统，包括具有第一写周期寿命的第一非易失性半导体(NVS)存储器，具有与第一写周期寿命不同的第二写周期寿命的第二非易失性半导体(NVS)存储器，以及损耗水平测量模块。该损耗水平测量模块基于第一和第二写周期寿命生成第一和第二NVS存储器的第一和第二损耗水平，并且基于第一和第二损耗水平将逻辑地址映射到第一和第二NVS存储器之一的物理地址。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 非易失性 固态 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种固态存储器系统，包括：第一非易失性半导体(NVS)存储器，其具有第一写周期寿命；第二非易失性半导体(NVS)存储器，其具有与所述第一写周期寿命不同的第二写周期寿命；以及损耗水平测量模块，其基于所述第一和第二写周期寿命生成所述第一和第二NVS存储器的第一和第二损耗水平，并且基于所述第一和第二损耗水平将逻辑地址映射到所述第一和第二NVS存储器之一的物理地址。
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