[发明专利]在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法无效
| 申请号： | 200780045929.4 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101647092A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | D·波普拉夫斯基;F·莱米;M·克尔曼;A·梅泽 | 申请（专利权）人： | 创新发光体公司 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开在腔体中形成外延层的方法。该方法包括将IV族半导体基底置于腔体中；并沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括IV族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块。该方法也包括利用加热装置加热该多孔坯块至大约100℃到大约1100℃之间的温度，并且加热大约5分钟到大约60分钟的时间，其中形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 形成 外延 方法 | ||
【主权项】：
1、在腔体中形成外延层的方法，包括：将IV族半导体基底置于腔体中；沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括IV族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块；利用加热装置加热所述多孔坯块至大约100℃到大约1100℃之间的温度，并且加热大约5分钟到大约60分钟的时间；其中形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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