[发明专利]电极结构体及凸点形成方法有效
| 申请号： | 200780046218.9 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101573784A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 谷口泰士;中谷诚一;北江孝史;辛岛靖治;保手浜健一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/12;H05K3/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖;胡 烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 装载焊锡凸点的电极结构体(100)包括：由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案(50)；形成于电极图案(50)上的一部分的Ni层(52)；形成于电极图案(50)上的所述一部分以外的区域的至少一部分的Pd层(54)；以及形成于Ni层(52)和Pd层(54)上的Au层(56)。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装载焊锡凸点的电极结构体，其特征在于，包括：由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案；形成于所述电极图案上的一部分的Ni层；形成于所述电极图案上的所述一部分以外的区域的至少一部分的Pd层；以及形成于所述Ni层和所述Pd层上的Au层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
