[发明专利]应力增强的晶体管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200780046220.6 申请日: 2007-12-13
公开(公告)号: CN101663761A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: I·佩多斯;R·帕尔 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程 伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种应力增强之MOS晶体管(30)及其制造方法。提供绝缘层上半导体(semiconductor-on-insulator)结构(36),该结构包含具有第一表面(37)的半导体层(38)。引发应变外延层(strain-inducing epitaxiallayer)(50)系覆被沉积(blanket deposit)于该第一表面(37)上,且之后可被用来产生位于该第一表面(37)上的源极区域(51)和漏极区域(52)。
搜索关键词: 应力 增强 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种制造半导体器件(30)的方法,该方法包括下列步骤:提供绝缘层上半导体结构(36),该结构包括:衬底(42)、具有第一表面(37)及第二表面(39)的半导体层(38)、以及设于该衬底(42)与该半导体层(38)的该第二表面(39)之间的绝缘层;以及在该第一表面(37)上,覆被生长引发应变外延层(50)。
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