[发明专利]用于氢氟碳蚀刻的粘着层无效
| 申请号： | 200780046252.6 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101558479A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 金智洙;李相宪;迪帕克·K·古普塔;S·M·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用以在工艺晶片上设在掩模下的蚀刻层中蚀刻特征的方法。沉积基于碳氢化合物的粘着层。利用至少一个循环蚀刻该工艺晶片上的该蚀刻层，其中每个循环包括在该掩模上方以及在该基于碳氢化合物的粘着层上沉积氢氟碳层，其中该基于碳氢化合物的粘着层增加该氢氟碳层的粘着力并蚀刻该蚀刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氢氟碳 蚀刻 粘着 | ||
【主权项】：
1.一种用以在工艺晶片上设在掩模下的蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：沉积基于碳氢化合物的粘着层；和利用至少一个循环蚀刻该工艺晶片上的该蚀刻层，其中每个循环包括：在该掩模上方以及在该基于碳氢化合物的粘着层上沉积氢氟碳层，其中该基于碳氢化合物的粘着层增加该氢氟碳层的粘着力；和蚀刻该蚀刻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
