[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200780046257.9 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101558475A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 玉祖秀人;藤川一洋;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林月俊;安 翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，在半导体(102)表面的部分区域中形成离子注入掩模(103)；第二步骤，将第一掺杂剂的离子注入到除了其中形成离子注入掩模(103)的区域之外的半导体(102)表面的暴露区域的至少一部分中，以及形成第一掺杂剂注入区域(106)；第三步骤，在形成第一掺杂剂注入区域(106)之后去除离子注入掩模(103)的一部分，以扩大半导体(102)表面的暴露区域；以及第四步骤，将第二掺杂剂的离子注入到半导体(102)表面的扩大的暴露区域的至少一部分中，以形成第二掺杂剂注入区域(107)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤：在半导体(102)的表面的一部分上形成离子注入掩模(103)；第二步骤：将第一掺杂剂的离子注入到除了形成所述离子注入掩模(103)的区域之外的所述半导体(102)的所述表面的暴露区域的至少一部分中，以形成第一掺杂剂注入区域(106)；第三步骤：在形成所述第一掺杂剂注入区域(106)之后，去除所述离子注入掩模(103)的一部分，以增大所述半导体(102)的所述表面的所述暴露区域；以及第四步骤：将第二掺杂剂的离子注入到所述半导体(102)的所述表面的所述增大的暴露区域的至少一部分中，以形成第二掺杂剂注入区域(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780046257.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
