[发明专利]用于浮体单元内存的读出装置及其方法有效

专利信息
申请号: 200780046338.9 申请日: 2007-12-13
公开(公告)号: CN101681666A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: M·A·德雷森;J·J·吴;D·R·韦斯 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C11/4091;G11C11/404
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程 伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种内存装置(100),包含内存阵列(memory array)(102)及读出放大器(sense amplifier)(108)。该内存阵列(102)包含组构成储存位值(bitvalue)的浮体单元(floating body cell)(320、420)。该读出放大器(108)包含:位输出端,组构成提供代表该位值之输出电压;以及参考源(reference source)(302),组构成提供参考电压(reference voltage)。该读出放大器(108)复包含:电流镜(current mirror)(330、430),组构成基于该参考电压来提供电流至该第一浮体单元(320、420);以及微分放大器电路(differential amplifier circuit)(332、432),组构成基于该参考电压以及由于施加该电流至该浮体单元(320、420)而跨接于该浮体单元(320、420)的电压来决定该输出电压。
搜索关键词: 用于 单元 内存 读出 装置 及其 方法
【主权项】:
1、一种内存装置(100),包括:内存阵列(102),包括储存第一位值的第一浮体单元(320);以及读出放大器(108)装置,包括:第一位输出端,用以提供代表该第一位值的第一输出电压;参考源(302),用以提供参考电压;第一电流镜(330),用以基于该参考电压将第一电流提供给该第一浮体单元(320);以及第一微分放大器电路(332),用以基于该参考电压以及由于将该第一电流施加给该第一浮体单元(320)而产生的跨接于该第一浮体单元(320)的电压来决定该第一输出电压。
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