[发明专利]透明导电薄膜的反应性溅射沉积方法无效
申请号: | 200780047064.5 | 申请日: | 2007-12-19 |
公开(公告)号: | CN101563477A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 李洋平;叶洋;蔡容基;元泰景;安库尔·凯达姆;盛殊然;李立伟 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/00 | 分类号: | C23C14/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明是提供一种用于溅射沉积一透明导电氧化物(TCO)层的方法。透明导电氧化物层可以用作为光伏元件中的背反射板。在一实施例中,该方法包括:将一基板提供至一制程室中;通过一第一溅射沉积步骤而在基板上形成透明导电氧化物层的一第一部分;以及通过一第二溅射沉积步骤而形成透明导电氧化物层的一第二部分。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 反应 溅射 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于溅射沉积一透明导电氧化物层的方法,包括:将一基板提供至一制程室中;通过一第一溅射沉积步骤而在该基板上形成一透明导电氧化物层的一第一部分;以及通过一第二溅射沉积步骤而形成该透明导电氧化物层的一第二部分。
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