[发明专利]被测物相对于传感器的位置和/或位置变化的测定方法及测定用的传感器装置有效
| 申请号： | 200780047304.1 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101563585A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | V·蒙德尼科夫 | 申请（专利权）人： | 微-埃普西龙测量技术有限两合公司 |
| 主分类号： | G01D5/20 | 分类号： | G01D5/20;G01D5/22;G01B7/00;H01H36/00;H03K17/95 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 玲 |
| 地址： | 德国奥*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种被测物相对于传感器(2)的位置和/或位置变化的测定方法，其中所述传感器(2)优选具有施加以交流电的传感线圈(7)，其特征在于：软磁金属薄片(4)中与被测物(1)关联的磁铁(5)使金属薄片(4)的磁导率产生变化，金属薄片(4)的磁导率在磁场的作用下随磁场的场强变化而变化并安排在传感器(2)的作用范围内，而金属薄片(4)的磁导率变化由被测物对传感器(2)的反应来确定并可用于测定被测物(1)相对于传感器(2)的位置和/或位置变化。从而设计出一种传感器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 被测物 相对于 传感器 位置 变化 测定 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种被测物相对于传感器(2)的位置和/或位置变化的测定方法，其中所述传感器(2)优选具有施加以交流电的传感线圈(7)，其特征在于：金属薄片(4)的磁导率变化由分配给软磁金属薄片(4)中被测物(1)的磁铁(5)所产生，其磁导率在磁场的作用下随磁场的场强变化而变化并安排在传感器(2)的作用范围内，而所述金属薄片(4)的磁导率变化由传感器(2)上的反馈来确定并由其测定被测物(1)相对于传感器(2)的位置和/或位置变化。
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