[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200780047515.5 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101563782A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;杉谷耕一;小池匡;番场昭典;小林章洋;绵贯耕平 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社;宇部日东化成株式会社;宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括透明衬底、透明绝缘体膜A、栅极和半导体层，所述透明绝缘体膜A设置在所述透明衬底的一个主表面上，且形成有到达该主表面的沟道，所述栅极形成于所述沟道内，且栅极的表面与上述透明绝缘体膜A的表面呈大致持平，所述半导体层隔着栅极绝缘膜设置在上述栅极上，其中，所述栅极绝缘膜至少包括两层，且所述栅极绝缘膜的至少一层为透明绝缘体膜B，所述透明绝缘体膜B由以MO重复单元为主要骨架、且其组成为以RxMOy表示的一种或两种以上的氧化物构成，式中，R为不可水解的取代基；M表示选自Si、Ti、Al、Zr、Zn、Sn以及In中的任一元素；x表示0～3的整数；y满足下述式(m-x)/2＜y＜m-x-0.5，m为M的化学价数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社;宇部日东化成株式会社;宇部兴产株式会社，未经国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社;宇部日东化成株式会社;宇部兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780047515.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输液滴注速度测定装置
- 下一篇：有序聚合物体系和人工晶状体
- 同类专利
- 专利分类
