[发明专利]NAND闪存的基于命令的控制有效
| 申请号： | 200780047630.2 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101568903A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | R·罗茨曼;S·埃勒特;S·卡瓦米 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;王丹昕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一些实施例利用基于命令的接口来控制非易失性存储器设备的读和写。这可以减少每个集成电路上所需的引脚数，并且因此减少那些集成电路的成本和尺寸。在一些实施例中，可以利用管芯上高速缓存缓冲器来缓冲高速存储器总线和较慢速的非易失性阵列之间的数据传输。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 基于 命令 控制 | ||
【主权项】：
1、一种装置，包括：非易失性存储单元的阵列；以及耦合到所述阵列并包含时钟信号引脚和一组输入/输出信号引脚的接口；其中利用所述接口通过将命令信号、地址信号和数据信号置于同一组输入/输出信号引脚上并使用所述时钟信号来锁存所述命令信号、地址信号和数据信号而控制所述阵列。
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