[发明专利]配置为发射多个波长的光的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200780047797.9 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101675534A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | J·C·金;S·伊 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例，一种III族氮化物结构包括多个半导体材料的柱形物，所述柱形物对应于掩模层(24)中的开口。每个柱形物包括发光层(28)。每个发光层被布置在n型区(26)和p型区(30)之间。位于第一柱形物中的第一发光层(28)被配置为与位于第二柱形物中的第二发光层(28)相比发射不同波长的光。在一些实施例中，通过控制柱形物的直径来控制每个发光层(28)发射的波长，从而可以形成没有荧光转换的发射白光的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 配置 发射 波长 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：具有多个开口的掩模层24；III族氮化物结构，包括：多个对应于该掩模层中的开口的半导体材料的柱形物，每个柱形物包括发光层28，其中该多个柱形物由绝缘材料25分开；其中：每个发光层被布置在n型区26和p型区30之间；以及位于第一柱形物中的第一发光层28被配置为与位于第二柱形物中的第二发光层28相比发射不同波长的光。
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