[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
| 申请号： | 200780047845.4 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101568993A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 森崎英介;小林洋克;吉川润;泽田郁夫;木本恒畅;川本典明;明田正俊 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，其特征在于，包括：内部被保持为减压空间的处理容器；向所述处理容器内供给成膜气体的气体供给机构；由以碳为主要成分的材料构成，在所述处理容器内保持基板的基板保持部；配置在所述处理容器的外侧，对所述基板保持部进行感应加热的线圈；和以覆盖所述基板保持部，且从所述处理容器离开的方式配置的绝热部件，所述减压空间被分离为被供给所述成膜气体的成膜气体供给空间、和在所述基板保持部与所述处理容器之间被划分形成的绝热空间，冷却介质被供给到所述绝热空间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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